RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1952
2399
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link