RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2399
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF560C40-16 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link