RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,123.3 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 59
    Около -111% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,833.8 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,123.3 left arrow 10.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    731 left arrow 2354

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM

AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
модули RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
модули RAM