RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2827
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link