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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.1
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
5.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
1740
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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