RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
71
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
1866
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link