RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
71
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1866
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lenovo 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link