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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2586
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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