RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2586
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link