RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1548
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link