RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1548
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link