RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
16.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3929
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link