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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2852
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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