RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3045
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link