RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
1511
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link