RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
12.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1511
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link