RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
37
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3814
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link