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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
総合得点
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
37
周辺 -106% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.4
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.2
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
18
読み出し速度、GB/s
13.9
20.4
書き込み速度、GB/秒
8.6
17.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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