RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
17.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3963
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link