RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
92
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
49
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2673
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link