RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
92
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2673
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link