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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
92
Por volta de -207% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2462
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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