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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
92
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2720
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparações de RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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