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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
92
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2720
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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