RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
92
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
35
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2672
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link