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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
92
Por volta de -217% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3093
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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