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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
73
Velocidade de leitura, GB/s
9.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1691
1724
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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