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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
73
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
73
Velocidade de leitura, GB/s
9.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1691
1724
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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