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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2431
3116
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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