RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3638
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link