RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3835
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link