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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
52
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
52
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2169
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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