RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
52
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
52
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2169
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link