RAM-Vergleich Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Gesamtnote

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 52

Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.6 10

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.6 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 8500

Rund um 2.26 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1479 2169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns