RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
52
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2169
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link