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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
46
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
46
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2396
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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