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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
46
读取速度,GB/s
14.9
11.0
写入速度,GB/s
9.5
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2396
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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