RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
38
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2908
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link