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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.9
14.7
写入速度,GB/s
9.5
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
2908
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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