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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.9
21.0
写入速度,GB/s
8.6
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
4129
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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