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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
56
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
56
读取速度,GB/s
13.9
9.5
写入速度,GB/s
8.5
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2138
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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