RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2155
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link