RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2155
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link