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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
62
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
62
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
6.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
1586
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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