RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
62
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
1586
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link