RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
61
Por volta de -118% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,077.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
2510
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link