RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
61
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
3360
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link