RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
61
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
6400
Около 3.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
23400
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
3360
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link