RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
65
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
65
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2041
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link