RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
65
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
65
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2041
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link