RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2804
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link