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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
54
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2804
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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