Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16.2
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 54
    Por volta de -93% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.7 left arrow 1,308.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 5300
    Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    54 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,573.5 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,308.1 left arrow 12.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    371 left arrow 2417
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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